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数量:110 |
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| 规格书 |
 MLD1N06CL |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| 晶体管类型 | NPN, N-Channel Gate-Drain, Source Clamp |
| 应用 | General Purpose |
| 电压 - 额定 | 62V |
| 额定电流 | 1A |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 59 V |
| RDS -于 | 750@5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±10 V |
| 典型导通延迟时间 | 1.2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 4 ns |
| 典型下降时间 | 3 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±10 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 750@5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 最大功率耗散 | 40000 |
| 最大漏源电压 | 59 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 额定电流 | 1A |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 应用范围 | General Purpose |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 晶体管类型 | NPN, N-Channel Gate-Drain, Source Clamp |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MLD1N06CLT4GOSCT |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 10 V |
| 连续漏极电流 | 1 A |
| 正向跨导 - 闵 | 1.4 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 750 mOhms |
| 功率耗散 | 40 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 4 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 59 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 3 ns |
| 系列 | SMARTDISCRETES™ |
| 晶体管类型 | NPN, N-Channel Gate-Drain, Source Clamp |
| 额定电流 | 1A |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 应用 | General Purpose |
| 电压 - 额定 | 65V |
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